半导体导带价带位置半导体导带价带位置研究：权威专家的解读
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什么是价带?导带?禁带？
由于能带是由能级扩展而来，能带和能级一样，相互之间存在没有能级的间隔，这个间隔就是禁带，电子无法取到禁带中的能量。
当原子处于基态的时候，它的所有电子从最低能级开始依次向上填充。对于半导体，电子刚好填充到某一个能带满了，下一个能带全空。这些被填满的能带称为满带，满带中能量最高的一条称为价带。
由于电流的产生需要载流子发生定向运动，而价带中电子已经占据了所有可能的能级，绝大多数电子相邻位置上的态都已经被占据了，无法移动，所以价带中的电子可以认为是不导电的。
对于半导体，能量最高的一个价带，到能量更高的下一个能带之间有一个禁带，但是这个禁带的宽度（能量）不是很大，所以有一些电子有机会跃迁到下一个能带。由于这个能带几乎是空的，所以电子们跃迁到这个能带之后就可以自由地奔跑，这个能带就是导带。
（另外对于绝缘体，这个禁带宽度太大，基本上不可能有电子跃迁过去。对于金属，根本没有禁带，导带和价带直接重合了，既然最高的能带本身就不满那不需要跃迁就可以导电了。）
需要注意的是以上的能带图、导带、价带的说法都是以电子为基准的（能级越高电子能量越大），如果是针对空穴，就是在导带中不导电（导带中全是空穴……），在价带中能导电。所以我们把（半导体内），导带中的电子和价带内的空穴合称载流子。
半导体中的价电子占有的能带是价带还是导带？
价带中的电子被化学键束缚着，不能自由移动，因此不能称为载流子。当给予电子足够大得能量，摆脱化学键的束缚，也就认为电子进入导带了。也就是说导带和价带代表电子的能量状态的等级。
半导体导带上有没有电子？
半导体导带上没有电子。
半导体：根据能带理论，半导体在绝对零度时，因为导带中没有电子，在电场作用下不导电。但是当温度大于0K时，电子受热激发，从价带跃迁到导带，使导带产生自由运动的电子，而价带产生自由运动的空穴，它们统称为本征载流子，载流子的浓度大小决定了高纯半导体的导电性。
离子电导
从理论上说，没有缺陷的离子晶体是绝缘体，但实际的大多数离子晶体还是有低的电导率。
离子晶体中的电导主要为离子电导。离子电导是离子在电场作用下的定向扩散运动，分为两类。
（1）本征电导，也叫固有离子电导，是晶体点阵的离子由于热振动而离开了晶格，形成热缺陷。这种热缺陷无沦是离子还是空位都是带电的，都可作为离子电导载流子。
（2）杂质电导，由于杂质与基体间的键合弱，在较低的温度下杂质就可以运动，杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。
什么是直接间隙半导体？
直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中处于同一位置的半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。
催化剂CB和VB指什么？
半导体粒子所具有的能带结构，一般是由填满电子的低能价带(VB)和高能导带( CB )构成，与一般的金属相比，它的能带是不连续的，价带( VB )和导带( CB )之间存在一个禁带。一般催化剂的半导体具有较大的禁带宽度，所以又被称为宽带隙半导体。常用半导体的禁带宽度是 TiO2(3.2ev)、NiO(3.5ev)、FeO(2.4ev)、HgO(1.9ev)、SnO(4.2ev)、CdSe(1.7ev)、GaN(3.44ev)、GaAs(1.42ev)等。